У липні минулого року Samsung і IBM оголосили, що розробили новий процес виробництва енергонезалежної оперативної пам'яті, названої MRAM, яка до 100000 разів швидше, ніж спалах NAND . Добре, якщо доповіді мусять бути повірені, південний корейський гігант буде unveiling MRAM пам'ять наступний місяць на його Західному Форумі подія.
MRAM виступає за магніторезистивну оперативну пам'ять і виробляється за допомогою технології крутного моменту зі спіном. Це призведе до зменшення кількості мікросхем пам'яті малої ємності для мобільних пристроїв, які в даний час використовують NAND flash для зберігання даних.
Цей STT-MRAM споживатиме набагато менше енергії, коли він буде зберігати інформацію. Коли оперативна пам'ять не активна, вона не використовуватиме жодної потужності, оскільки пам'ять є енергонезалежною. Таким чином, цей MRAM широко використовують виробники для ультранизької потужності .
За Samsung, собівартість вбудованої DRAM дешевше, ніж у флеш-пам'яті. Незважаючи на менший розмір MRAM, його швидкість також швидше, ніж звичайні спалахи. На жаль, Samsung зараз не може виробляти більше декількох мегабайт пам'яті. У нинішньому стані MRAM є достатньо хорошим для використання в якості кеш-пам'яті для процесорів додатків.
Західний форум подій Samsung запланований на 24 травня, і ми сподіваємося, що ми отримаємо більш детальну інформацію про майбутній MRAM компанії Samsung. Повідомлялося, що бізнес-відділ LSI від Samsung розробив прототип SoC, який має вбудований MRAM, який також може бути оприлюднений на цьому ж заході.
